Isotope study of far IR absorption of bistable centers in hydrogen-implanted silicon

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: ISOVA, Ainur T, KLIMENOV, Vasiliy V, NEVMERZHITSKY, Ivan S, ZAKHAROV, Mikhail A, YELEUOV, Mukhtar A, TOKMOLDIN, Serekbol Z
Format: Tagungsbericht
Sprache:rus
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0921-4526
1873-2135