Surface roughness of reactive ion etched 4H-SiC in SF6/O2 and CHF3/H2/O2 plasmas

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Electrochemical Society 1998, Vol.145 (4), p.L58-L60
Hauptverfasser: CASADY, J. B, MANI, S. S, SIERGIEJ, R. R, URBAN, W, BALAKRISHNA, V, SANGER, P. A, BRANDT, C. D
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0013-4651
1945-7111
DOI:10.1149/1.1838414