Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in A1GaN/GaN HEMTs

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	MALBERT, N, LABAT, N, BRU-CHEVALLIER, C, BLUET, J.-M, CHIKHAOUI, W, CURUTCHET, A, SURY, C, HOEL, V, DE JAEGER, J.-C, DEFRANCE, N, DOUVRY, Y, DUA, C, OUALLI, M
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Interfaces Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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