Nitridation of Si(111 ) for growth of 2H-AIN(0 0 01 )/β-Si3-SiN4 /Si(111 ) structure

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	YAMABE, N, SHIMOMURA, H, SHIMAMURA, T, OHACHI, T
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of crystal growth physics of crystal growth Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy Physics Surface treatments Theory and models of crystal growth physics of crystal growth, crystal morphology and orientation
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:	0022-0248 1873-5002