Relaxation and recovery processes of AlXGa1_XN grown on AIN underlying layer

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: ASAI, Toshiaki, NAGATA, Kensuke, MORI, Toshiaki, NAGAMATSU, Kentaro, IWAYA, Motoaki, KAMIYAMA, Satoshi, AMANO, Hiroshi, AKASAKI, Isamu
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0022-0248
1873-5002