14-GHz GaNAsSb Unitraveling-Carrier 1.3-μm Photodetectors Grown by RF Plasma-Assisted Nitrogen Molecular Beam Epitaxy

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2009-06, Vol.30 (6), p.590-592
Hauptverfasser:	KIAN HUA TAN, YOON, Soon F, PATRA, Ardhendu S, JÄGER, Dieter, TANGDIONGGA, Eduward, WAN KHAI LOKE, WICAKSONO, Satrio, TIEN KHEE NG, FEDDERWITZ, Sascha, STÖHR, Andreas, WEISS, Mario, POLOCZEK, Artur, RYMANOV, Vitaly
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Optoelectronic devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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