On the Temperature and Field Dependence of Trap-Assisted Tunneling Current in Ge p+n Junctions

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2009-05, Vol.30 (5), p.562-564
Hauptverfasser:	SIMOEN, Eddy, DE STEFANO, Francesca, ENEMAN, Geert, DE JAEGER, Brice, CLAEYS, Cor, CRUPI, Felice
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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