Fabrication and Properties of Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/ HfO2/Si Structure for Ferroelectric DRAM (FEDRAM) FET

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2009-05, Vol.30 (5), p.463-465
Hauptverfasser:	DAN XIE, YONGYUAN ZANG, YAFENG LUO, TIANLING REN, LITIAN LIU
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Dielectric, amorphous and glass solid devices Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Integrated circuits by function (including memories and processors) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
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