Two-stage hot-carrier degradation behavior of 0.18 μm 18 V n-type DEMOS and its recovery effect

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Microelectronics and reliability 2009, Vol.49 (1), p.8-12
Hauptverfasser:	CHAO GAO, JUN WANG, LEI WANG, YAP, Andrew, HONG LI
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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