Highly selective SiO2 etch employing inductively coupled hydro-fluorocarbon plasma chemistry for self aligned contact etch

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1997, Vol.36 (9A), p.5498-5501
Hauptverfasser:	IIJIMA, Y, ISHIKAWA, Y, YANG, C.-I, CHANG, M, OKANO, H
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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