Growth striations and dislocations in highly doped semiconductor single crystals

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of crystal growth 2008, Vol.310 (24), p.5477-5482
Hauptverfasser: PROKHOROV, I. A, SEREBRYAKOV, Yu. A, ZAKHAROV, B. G, BEZBAKH, I. Zh, RATNIKOV, V. V, SHULPINA, I. L
Format: Artikel
Sprache:rus
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0022-0248
1873-5002