Electrical Characteristics and Thermal Stability of HfxTaySizN Metal Gate Electrode for Advanced MOS Devices

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2008-11, Vol.55 (11), p.3259-3266
Hauptverfasser:	YANG, Chang-Ta, CHANG-LIAO, Kuei-Shu, CHANG, Hsin-Chun, FU, Chung-Hao, WANG, Tien-Ko, TSAI, Wen-Fa, AI, Chi-Fong, WU, Wen-Fa
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!