Vertical InAs Nanowire Wrap Gate Transistors on Si Substrates : Nanowire transistors: modeling, device, desing, and technology

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2008, Vol.55 (11), p.3037-3041
Hauptverfasser:	REHNSTEDT, Carl, MARTENSSON, Thomas, THELANDER, Claes, SAMUELSON, Lars, WEMERSSON, Lars-Erik
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Testing, measurement, noise and reliability Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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