SiNx:H/SiO2 double-layer passivation with hydrogen-radical annealing for solar cells

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Japanese journal of applied physics 1997, Vol.36 (9A), p.5688-5692
Hauptverfasser: NAGAYOSHI, H, IKEDA, M, YAMAGUCHI, M, UEMATSU, T, SAITOH, T, KAMISAKO, K
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0021-4922
1347-4065
DOI:10.1143/jjap.36.5688