Growth of Ga1-xBxN by molecular beam epitaxy

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Veröffentlicht in:	Japanese journal of applied physics 1997-11, Vol.36 (11B), p.L1483-L1485
Hauptverfasser:	VEZIN, V, YATAGAI, S, SHIRAKI, H, UDA, S
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy Physics
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