Threshold Voltage Modulation Using N+2 Implantation Into Substrate for Ni Fully Silicided Gate/High-k NMOS

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2008-10, Vol.29 (10), p.1163-1166
Hauptverfasser:	YAMASHITA, Tomohiro, NISHIDA, Yukio, EIKYU, Katsumi, ODA, Hidekazu, INOUE, Yasuo, SHIBAHARA, Kentaro
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Dielectric, amorphous and glass solid devices Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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