High-Performance High-k Y2O3 SONOS-Type Flash Memory

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2008, Vol.55 (9), p.2354-2360
Hauptverfasser:	PAN, Tung-Ming, YEH, Wen-Wei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Integrated circuits by function (including memories and processors) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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