Effect of an intermediate graphite layer on the electronic properties of metal/SiC contacts: Silicon Carbide. Current Trends in Research and Applications

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. B. Basic research 2008, Vol.245 (7), p.1369-1377
Hauptverfasser: RESHANOV, Sergey A, EMTSEV, Konstantin V, SPECK, Florian, GAO, Kun-Yuan, SEYLLER, Thomas K, PENSL, Gerhard, LEY, Lothar
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0370-1972
1521-3951