Characterization of Transient Gate Oxide Trapping in SiC MOSFETs Using Fast I-V Techniques : Silicon carbide devices and technology

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2008, Vol.55 (8), p.2004-2012
Hauptverfasser:	GURFINKEL, Moshe, XIONG, Hao D, CHEUNG, Kin P, SUEHLE, John S, BERNSTEIN, Joseph B, SHAPIRA, Yoram, LELIS, Aivars J, HABERSAT, Daniel, GOLDSMAN, Neil
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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