Extraction of Transport Dynamics in AIGaN/GaN HFETs Through Free Carrier Absorption: Groups in Nitrides, SiC and ZnO

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of electronic materials 2008, Vol.37 (5), p.578-584
Hauptverfasser:	WU, Yuh-Renn, HINCKLEY, John M, SINGH, Jasprit
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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