Selective Epitaxial Growth of SiGe Layers with High Aspect Ratio Mask of Dielectric Films : Fundamentals and applications of advanced semiconductor devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEICE transactions on electronics 2008, Vol.91 (5), p.767-771
Hauptverfasser:	CHOI, A-Ram, CHOI, Sang-Sik, PARK, Byung-Guan, SUH, Dongwoo, KIM, Gyungock, KIM, Jin-Tae, CHOI, Jin-Soo, CHO, Deok-Ho, HAN, Tae-Hyun, SHIM, Kyu-Hwan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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