Low threshold current density 1.3 μm metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser diodes

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2008-03, Vol.44 (7), p.474-475
Hauptverfasser:	WU, D, WANG, H, WANG, S. M, WU, B, NI, H, HUANG, S, XIONG, Y, WANG, P, HAN, Q, NIU, Z, TANGRING, I
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor lasers laser diodes
Online-Zugang:	Volltext
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