Enhancement-mode GaAs MOSFETs with an In0.3Ga0.7As channel, a mobility of over 5000 cm2/V. s, and transconductance of over 475 μS/μm

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2007, Vol.28 (12), p.1080-1082
Hauptverfasser:	HILL, Richard J. W, MORAN, David A. J, DROOPAD, Ravi, PASSLACK, Matthias, THAYNE, Iain G, XU LI, HAIPING ZHOU, MACINTYRE, Douglas, THORNS, Stephen, ASENOV, Asen, ZURCHER, Peter, RAJAGOPALAN, Karthik, ABROKWAH, Jonathan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Compound structure devices Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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