Inversion of n-type GaAs surface using a silicon-silicon dioxide insulator structure

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1989, Vol.136 (7), p.2070-2073
Hauptverfasser:	HATTANGADY, S. V, FOUNTAIN, G. G, VITKAVAGE, D. J, RUDDER, R. A, MARKUNAS, R. J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures Electronic transport in interface structures Exact sciences and technology Physics
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