Two types of traps at the Si/SiO2 interface characterized by their cross sections

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 1999-09, Vol.48 (1-4), p.159-162
Hauptverfasser:	ALBOHN, J, FÜSSEL, W, NGO DUONG SINH, KLIEFOTH, K, FLIETNER, H, FUHS, W
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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