Formation of epitaxial Si1-xGex films produced by wet oxidation of amorphous SiGe layers deposited on Si(100)

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1988-12, Vol.53 (25), p.2483-2485
Hauptverfasser:	PROKES, S. M, TSENG, W. F, CHRISTOU, A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Exact sciences and technology Physics Surfaces and interfaces thin films and whiskers (structure and nonelectronic properties)
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