A novel 0.5-μm n+-p+ poly-gated salicide CMOS process using germanium implantation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1989-11, Vol.36 (11), p.2422-2432
Hauptverfasser:	PFIESTER, J. R, YEARGAIN, J. R, SWENSON, M. S, ALVIS, J. R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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