Reduction in misfit dislocation density by the selective growth of Si1-xGex/Si in small areas

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Applied physics letters 1990, Vol.56 (1), p.51-53
Hauptverfasser:	NOBLE, D. B, HOYT, J. L, KING, C. A, GIBBONS, J. F, KAMINS, T. I, SCOTT, M. P
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties Defects and impurities in crystals microstructure Direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, x-ray topography, etc.) Exact sciences and technology Physics Structure of solids and liquids crystallography
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