The Utility of Preparing CU Plots Prior to DLTS Scans

Current practice recommends that a preliminary C versus U plot be made before beginning a DLTS scan of a semiconductor junction to select the required bias for the junction and the temperature range for the scan. We feel that it is more appropriate and meaningful to perform a CU study at a later time near or at the temperature of the trap emission. This fact is demonstrated by making a series of CU measurements in GaAs (Si‐implanted) Schottky diodes and displaying appropriate three‐dimensional representation of concentration—depth—temperature profiles. Üblicherweise wird vor einer DLTS‐Untersuchung an einem Halbleiter‐Übergang eine CU‐Messung durchgeführt, um die erforderliche Spannung und den Temperaturbereich zu fixieren. Es scheint jedoch günstiger und sinnvoller zu sein, die CU‐Messung später nahe oder bei der Temperatur der Trap‐Emission vorzunehmen. Dies wird anhand einer Serie von CU‐Messungen an (Si‐implantierten) GaAs‐Schottky‐Dioden und einer dreidimensionalen Darstellung von Konzentrations—Tiefen—Temperatur‐Profilen demonstriert.