Characterization of ultra-shallow p+-n junction diodes fabricated by 500 eV boron-ion implantation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1991, Vol.38 (1), p.28-31
Hauptverfasser:	SHIN NAM HONG, RUGGLES, G. A, WORTMAN, J. J, MYERS, E. R, HREN, J. J
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Diodes Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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