Far-infrared photoconductivity spectroscopy of high-mobility n-GaAs grown by MBE
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Veröffentlicht in: | Semiconductor science and technology 1989-07, Vol.4 (7), p.548-552 |
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Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0268-1242 1361-6641 |
DOI: | 10.1088/0268-1242/4/7/009 |