Far-infrared photoconductivity spectroscopy of high-mobility n-GaAs grown by MBE

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor science and technology 1989-07, Vol.4 (7), p.548-552
Hauptverfasser: Grimes, R T, Stanaway, M B, Chamberlain, J M, Henini, M, Hughes, O H
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0268-1242
1361-6641
DOI:10.1088/0268-1242/4/7/009