Observation of high mobility and cyclotron resonance in 20 Å silicon delta-doped GaAs grown by MBE at 480 °C
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Veröffentlicht in: | Semiconductor science and technology 1990-08, Vol.5 (8), p.861-866 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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ISSN: | 0268-1242 1361-6641 |
DOI: | 10.1088/0268-1242/5/8/010 |