Observation of high mobility and cyclotron resonance in 20 Å silicon delta-doped GaAs grown by MBE at 480 °C

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor science and technology 1990-08, Vol.5 (8), p.861-866
Hauptverfasser: Koenraad, P M, Blom, F A P, Langerak, C J G M, Leys, M R, Perenboom, J A A J, Singleton, J, Spermon, S J R M, Vleuten, W C van der, Voncken, A P J, Wolter, J H
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0268-1242
1361-6641
DOI:10.1088/0268-1242/5/8/010