High stable microwave performance of InP/InGaAs HIGFET's

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 1990, Vol.37 (8), p.1916-1917
Hauptverfasser:	MARTIN, E. A, AINA, O. A, ILIADIS, A. A, MATTINGLY, M. R, HEMPFLING, E
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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