High quality interlayer dielectric for 4H–SiC DMOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 2007-11, Vol.22 (11), p.1193-1199
Hauptverfasser:	Okayama, T, Arthur, S D, Waldrab, P, Rao, Mulpuri V
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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