Power performance of AlGaN/GaN HENTs grown on sic by Ammonia-MBE at 4 and 10 GHz

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2007, Vol.28 (11), p.945-947
Hauptverfasser:	POBLENZ, Christiane, CORRION, Andrea L, RECHT, Felix, CHANG SOO SUH, RONGMING CHU, LIKUN SHEN, SPECK, James S, MISHRA, Umesh K
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Other multijunction devices. Power transistors. Thyristors Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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