2.3 μm type-I quantum well GalnAsSb /AlGaAsSb /GaSb laser diodes with quasi-CW output power of 1.4W

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2007-07, Vol.43 (15), p.810-812
Hauptverfasser:	DONETSKY, D, KIPSHIDZE, G, SHTERENGAS, L, HOSODA, T, BELENKY, G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor lasers laser diodes
Online-Zugang:	Volltext
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