Effect of proton irradiation on interface state density in Sc2O3/GaN and Sc2O3/MgO/GaN diodes: Group III Nitrides, SiC and ZnO

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of electronic materials 2007, Vol.36 (4), p.519-523
Hauptverfasser: ALLUMS, K. K, HLAD, M, GERGER, A. P, GILA, B. P, ABERNATHY, C. R, PEARTON, S. J, REN, F, DWIVEDI, R, FOGARTY, T. N, WILKINS, R
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0361-5235
1543-186X