Optimization of HfSiON using a design of experiment (DOE) approach on 0.45 V Vt Ni-FUSI CMOS transistors

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	ROTHSCHILD, A, MITSUHASHI, R, VELOSO, A, LAUWERS, A, DE POTTER, M, DEBUSSCHERE, I, JURCZAK, M, NIWA, M, ABSIL, P, BIESEMANS, S, KERNER, C, SHI, X, EVERAERT, J. L, DATE, L, CONARD, T, RICHARD, O, VRANCKEN, C, VERBEECK, R
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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