Modelling of the current-voltage characteristics of InAs/AlGaSb/GaSb double barrier diodes with interband resonant tunnelling

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor science and technology 1999-08, Vol.14 (8), p.731-735
Hauptverfasser:	Lapushkin, I, Zakharova, A, Gergel, V
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!