Effet tunnel dans la diode émetteur/base d'un transistor bipolaire compatible CMOS dédié à la RF

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. B. Basic research 1999, Vol.214 (1), p.203-215
Hauptverfasser:	LATRECHE, S, GONTRAND, C
Format:	Artikel
Sprache:	fre
Schlagworte:	Autres dispositifs multijonctions. Transistors de puissance. Thyristors Electronique Electronique des semiconducteurs. Microélectronique. Optoélectronique. Dispositifs à l'état solide Sciences appliquees Sciences exactes et technologie
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