Growth of tantalum nitride films on Si by radio frequency reactive sputtering : Effect of N2/Ar flow ratio

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 1999-05, Vol.146 (5), p.1835-1839
Hauptverfasser:	LIN, J.-C, CHEN, G, CHIAPING LEE
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Cross-disciplinary physics: materials science rheology Deposition by sputtering Exact sciences and technology Materials science Methods of deposition of films and coatings film growth and epitaxy Physics
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!