Overcharging of porous silicon localized states at gas adsorption

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor science and technology 2006-12, Vol.21 (12), p.1605-1608
Hauptverfasser: Skryshevsky, V A, Zinchuk, V M, Benilov, A I, Milovanov, Yu S, Tretyak, O V
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0268-1242
1361-6641
DOI:10.1088/0268-1242/21/12/018