Proton irradiation-induced intermixing in InxGa1−xAs/InP quantum wells—the effect of In composition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor science and technology 2006-10, Vol.21 (10), p.1441-1446
Hauptverfasser: Gareso, P L, Buda, M, Fu, L, Tan, H H, Jagadish, C, Dao, L V, Wen, X, Hannaford, P
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0268-1242
1361-6641
DOI:10.1088/0268-1242/21/10/013