Highly reliable copper dual-damascene interconnects with self-formed MnSixOy barrier layer

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2006-10, Vol.53 (10), p.2492-2499
Hauptverfasser:	USUI, Takamasa, NASU, Hayato, TAKAHASHI, Shingo, SHIMIZU, Noriyoshi, NISHIKAWA, T, YOSHIMARU, Masaki, SHIBATA, Hideki, WADA, Makoto, KOIKE, Junichi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
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