High speed (>11 GHz) modulation of BCB-passivated 1.55 μm InGaAlAs-InP VCSELs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Electronics letters 2006, Vol.42 (17), p.976-978
Hauptverfasser:	HOFMANN, W, ZHU, N. H, ORTSIEFER, M, BÖHM, G, LIU, Y, AMANN, M.-C
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Exact sciences and technology Fundamental areas of phenomenology (including applications) Lasers Optics Physics Semiconductor lasers laser diodes
Online-Zugang:	Volltext
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