Structural advantage for the EOT scaling and improved electron channel mobility by incorporating dysprosium oxide (Dy2O3) into HfO2 n-MOSFETs

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2006-08, Vol.27 (8), p.640-643
Hauptverfasser:	LEE, Tackhwi, SE JONG RHEE, LEE, Jack C, CHANG YONG KANG, FENG ZHU, KIM, Hyoung-Sub, CHOI, Changhwan, OK, Injo, MANHONG ZHANG, KRISHNAN, Siddarth, THAREJA, Gaurav
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Design. Technologies. Operation analysis. Testing Electronics Exact sciences and technology Integrated circuits Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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