Homoepitaxial silicon growth in a non-ultra-high vacuum environment by ion-assisted deposition on Si wafer and seeded glass substrates

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: STRAUB, Axel, INNS, Daniel, TERRY, Mason L, YIDAN HUANG, WIDENBORG, Per I, ABERLE, Armin G
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0040-6090
1879-2731