Gate-dielectric permitivity and metal-gate work-function tradeoff in Lmet = 25 nm PDSOI device characteristics

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2006-06, Vol.27 (6), p.505-507
Hauptverfasser:	DECHAO GUO, BRYANT, Andres, XINLIN WANG, NARASIMHA, Shreesh, MILLER, Robert, KHARE, Mukesh
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Acoustic wave devices, piezoelectric and piezoresistive devices Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices Transistors
Online-Zugang:	Volltext
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