Noise characteristics of 340 nm and 280 nm GaN-based light emitting diodes

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	SAWYER, Shayla, RUMYANTSEV, Sergey L, PALA, Nezih, SHUR, Michael S, BILENKO, Yuriy, GASKA, Remis, KOSTERIN, Pavel V, SALZBERG, Brian M
Format:	Tagungsbericht
Sprache:	eng
Schlagworte:	Applied sciences Electronics Exact sciences and technology Optoelectronic devices Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!