Production of vacancy defects in high-energy Sn-ion irradiated GaN : Positron beam Doppler broadening study

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PREMCHANDER, P, ABHAYA, S, SIVAJI, K, AMARENDRA, G, BASKAR, K, LEE, Y. T
Format: Tagungsbericht
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:
ISSN:0921-4526
1873-2135